삼성전자가 10나노급 낸드플래시 메모리 기술개발 성공에 이어 최근 실험생산까지 마쳐 이르면 오는 11월부터 본격 양산에 돌입한다. 삼성전자는 본격 양산을 위해 반도체 연구소 임직원을 실제 생산라인에 파견해 본격 양산을 위한 준비 작업에 돌입했다.

11일 관련업계에 따르면 삼성전자 반도체 연구소는 10나노급 낸드플래시 기술 개발과 연구소내 실험 생산 라인의 수율까지 끌어올린 뒤 세계 첫 양산을 위한 준비 작업에 착수했다. 연구소 내 임직원이 현재 양산중인 낸드 라인에 10나노급 기술을 적용하기 위한 작업을 진행 중이다. 삼성전자가 개발에 성공한 낸드플래시 미세공정 기술은 18나노로 알려졌다.

연구소 자체 실험 결과 수율 등을 포함한 생산성은 이미 검증됐지만 실제 양산에 어떤 미세 공정 기술이 적용될 지 여부는 아직 확정되지 않은 상태다.

반도체에서 20나노 이하의 미세공정은 기술적 한계로 평가되고 있으며 10나노 공정 기술은 그만큼 극복하기 어려운 기술이다. 삼성전자는 이번 10나노 낸드 양산을 앞두면서 경쟁사와의 격차를 최소 1년~2년 이상 벌이게 됐다.

업계의 한 관계자는 "삼성전자가 당초 지난 6월말까지 10나노급 낸드 양산까지 마무리할 예정이었지만 기술적인 한계에 직면하면서 당초 계획보다 늦어진 것으로 보인다"며 "중국의 미세공정기술이 많이 뒤쳐진데다 나노 기술은 유출 가능성이 적어 삼성전자가 중국에 과감하게 10나노 기술을 적용하는 것"이라고 설명했다.

한편 삼성은 12일 중국 산시성 시안에서 권오현 부회장 등이 참석한 가운데 낸드 플래시 생산을 공장 기공식을 가질 예정이다. 시안 공장은 해외 공장 가운데 가장 큰 규모로 10나노 생산기지로 활용될 예정이다.